大家好,今天小編關(guān)注到一個(gè)比較有意思的話題,就是關(guān)于半導(dǎo)體精密五金的問題,于是小編就整理了3個(gè)相關(guān)介紹半導(dǎo)體精密五金的解答,讓我們一起看看吧。
半導(dǎo)體金屬靶材是什么?
半導(dǎo)體金屬靶材指的是用于半導(dǎo)體制程中的金屬靶材。在半導(dǎo)體制程中,常用的一種方法是物理氣相沉積(PVD),這是一種在真空中通過(guò)將金屬靶材原子或分子從固態(tài)轉(zhuǎn)變?yōu)闅鈶B(tài),然后再沉積到半導(dǎo)體晶片上以形成金屬薄膜的過(guò)程。
這種金屬靶材可以是純金屬,例如鋁(Al)、鈦(Ti)、銅(Cu)、鎢(W)、鎳(Ni)等,也可以是合金或化合物,例如鈦鐵(TiN)、鈦鋁(TiAl)、鉭酸鋰(LiTaO3)等。所選用的金屬靶材取決于所需的薄膜的性能和應(yīng)用。
金屬靶材在半導(dǎo)體制程中扮演著重要的角色,它們用于制造電路,形成屏障層,提供導(dǎo)電路徑,以及形成其他功能結(jié)構(gòu)。例如,鋁靶材常用于形成微電子設(shè)備中的導(dǎo)電層,鈦和鈦鐵靶材則常用于形成阻擋擴(kuò)散的屏障層。
半導(dǎo)體用濺射靶材主要用于晶圓導(dǎo)電層及阻擋層和金屬柵極的制作,主要用到鋁、鈦、銅、鉭等金屬,芯片封裝用金屬靶材與晶圓制作類似,主要有銅、鋁、鈦等。
其中,晶圓制作導(dǎo)電層使用金屬靶材主要有鋁靶和銅靶,阻擋層使用金屬靶材主要有鉭靶和鈦靶,阻擋層主要有兩個(gè)作用,一方面是阻隔與絕緣,防止導(dǎo)電層金屬擴(kuò)散到晶圓主體材料硅中,另一方面作為黏附,用于粘結(jié)金屬和硅材料。
半導(dǎo)體用什么金屬多?
硅。
常用的半導(dǎo)體材料分為元素半導(dǎo)體和化合物半導(dǎo)體。元素半導(dǎo)體是由單一元素制成的半導(dǎo)體材料。主要有硅、鍺、硒等,以硅、鍺應(yīng)用最廣?;衔锇雽?dǎo)體分為二元系、三元系、多元系和有機(jī)化合物半導(dǎo)體。二元系化合物半導(dǎo)體有Ⅲ-Ⅴ族(如砷化鎵、磷化鎵、磷化銦等)、Ⅱ-Ⅵ族(如硫化鎘、硒化鎘、碲化鋅、硫化鋅等)、Ⅳ-Ⅵ族(如硫化鉛、硒化鉛等)、Ⅳ-Ⅳ族(如碳化硅)化合物。
三元系和多元系化合物半導(dǎo)體主要為三元和多元固溶體,如鎵鋁砷固溶體、鎵鍺砷磷固溶體等。有機(jī)化合物半導(dǎo)體有萘、蒽、聚丙烯腈等,還處于研究階段?! 〈送猓€有非晶態(tài)和液態(tài)半導(dǎo)體材料,這類半導(dǎo)體與晶態(tài)半導(dǎo)體的最大區(qū)別是不具有嚴(yán)格周期性排列的晶體結(jié)構(gòu)。
制備不同的半導(dǎo)體器件對(duì)半導(dǎo)體材料有不同的形態(tài)要求,包括單晶的切片、磨片、拋光片、薄膜等。半導(dǎo)體材料的不同形態(tài)要求對(duì)應(yīng)不同的加工工藝。常用的半導(dǎo)體材料制備工藝有提純、單晶的制備和薄膜外延生長(zhǎng)。
常見的半導(dǎo)體材料有硅(si)、鍺(ge),化合物半導(dǎo)體,如砷化鎵(gaas)等;摻雜或制成其它化合物半導(dǎo)體材料,如硼(b)、磷(p)、錮(in)和銻(sb)等。其中硅是最常用的一種半導(dǎo)體材料。
金屬導(dǎo)電和半導(dǎo)體導(dǎo)電有什么區(qū)別?
半導(dǎo)體和金屬導(dǎo)體的導(dǎo)電機(jī)理不同
半導(dǎo)體中有自由電子和空穴兩種承載電流的粒子,使半導(dǎo)體導(dǎo)電;金屬導(dǎo)體內(nèi)部存在大量的可以自由移動(dòng)的自由電子,這些自由電子在電場(chǎng)力的作用下定向移動(dòng)而形成電流,使金屬能夠?qū)щ姟?/p>
離子晶體不導(dǎo)電,熔化或溶于水后能導(dǎo)電。離子晶體中,離子鍵較強(qiáng),離子不能自由移動(dòng),即晶體中無(wú)自由移動(dòng)的離子,因此離子晶體不導(dǎo)電。離子化合物溶于水時(shí),陰、陽(yáng)離子受到水分子的作用后變成了自由移動(dòng)的離子(或水合離子),在外界電場(chǎng)作用下,陰、陽(yáng)離子定向移動(dòng)而導(dǎo)電。
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