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光刻技術(shù)原理指的是什么？

　　光刻技術(shù)的原理集成電路制造中利用光學(xué)-化學(xué)反應(yīng)原理和化學(xué)、物理刻蝕方法，將電路圖形傳遞到單晶表面或介質(zhì)層上，形成有效圖形窗口或功能圖形的工藝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體技術(shù)的發(fā)展，光刻技術(shù)傳遞圖形的尺寸限度縮小了2～3個(gè)數(shù)量級(jí)（從毫米級(jí)到亞微米級(jí)），已從常規(guī)光學(xué)技術(shù)發(fā)展到應(yīng)用電子束、X射線、微離子束、激光等新技術(shù)；使用波長(zhǎng)已從4000埃擴(kuò)展到0.1埃數(shù)量級(jí)范圍。光刻技術(shù)成為一種精密的微細(xì)加工技術(shù)?！　」饪碳夹g(shù)是在一片平整的硅片上構(gòu)建半導(dǎo)體MOS管和電路的基礎(chǔ)，這其中包含有很多步驟與流程。首先要在硅片上涂上一層耐腐蝕的光刻膠，隨后讓強(qiáng)光通過(guò)一塊刻有電路圖案的鏤空掩模板（MASK）照射在硅片上。被照射到的部分(如源區(qū)和漏區(qū))光刻膠會(huì)發(fā)生變質(zhì)，而構(gòu)筑柵區(qū)的地方不會(huì)被照射到，所以光刻膠會(huì)仍舊粘連在上面。接下來(lái)就是用腐蝕性液體清洗硅片，變質(zhì)的光刻膠被除去，露出下面的硅片，而柵區(qū)在光刻膠的保護(hù)下不會(huì)受到影響。隨后就是粒子沉積、掩膜、刻線等操作，直到最后形成成品晶片（WAFER）。

光刻技術(shù)原理是指將光通過(guò)一系列的透鏡系統(tǒng)把制作好的掩模上的圖案投射到芯片表面，使光敏劑在相應(yīng)的區(qū)域發(fā)生化學(xué)變化，從而形成期望的圖案。光刻技術(shù)是芯片制造過(guò)程中至關(guān)重要的一步，其精度和速度直接影響到芯片產(chǎn)品的品質(zhì)和產(chǎn)量。其原理的理解、優(yōu)化、掌握和應(yīng)用，是現(xiàn)代芯片技術(shù)的關(guān)鍵技術(shù)之一。隨著芯片尺度的不斷縮小，光刻技術(shù)也面臨著越來(lái)越大的挑戰(zhàn)和發(fā)展機(jī)遇。

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